מספר מוצר של יצרן:
BSP297 E6327
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSP297 E6327-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
מלאי:
12798819
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSP297 E6327 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
SIPMOS®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
660mA (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.8Ohm @ 660mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.8V @ 400µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
16.1 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
357 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.8W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-SOT223-4
חבילה / מארז
TO-261-4, TO-261AA
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
BSP297E6327
BSP297E6327T
BSP297 E6327-DG
SP000011108
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
BSP297H6327XTSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
7629
DiGi מספר חלק
BSP297H6327XTSA1-DG
מחיר ליחידה
0.30
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
STN4NF20L
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
7369
DiGi מספר חלק
STN4NF20L-DG
מחיר ליחידה
0.21
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STN1NF20
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
9182
DiGi מספר חלק
STN1NF20-DG
מחיר ליחידה
0.24
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSS159NL6327HTSA1
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
BSC066N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6
BSP320SL6327HTSA1
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
